IRF7807VD2PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7807VD2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
FETKY™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Isolated)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51177 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7807VD2PBF
IRF7807VD2PBF Elektroniska komponenter
IRF7807VD2PBF Försäljning
IRF7807VD2PBF Leverantör
IRF7807VD2PBF Distributör
IRF7807VD2PBF Datatabell
IRF7807VD2PBF Foton
IRF7807VD2PBF Pris
IRF7807VD2PBF Erbjudande
IRF7807VD2PBF Lägsta pris
IRF7807VD2PBF Sök
IRF7807VD2PBF Köp av
IRF7807VD2PBF Chip