Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF7702GTRPBF

IRF7702GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Artikelnummer
IRF7702GTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-TSSOP
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3470pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9617 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRF7702GTRPBF
IRF7702GTRPBF Elektroniska komponenter
IRF7702GTRPBF Försäljning
IRF7702GTRPBF Leverantör
IRF7702GTRPBF Distributör
IRF7702GTRPBF Datatabell
IRF7702GTRPBF Foton
IRF7702GTRPBF Pris
IRF7702GTRPBF Erbjudande
IRF7702GTRPBF Lägsta pris
IRF7702GTRPBF Sök
IRF7702GTRPBF Köp av
IRF7702GTRPBF Chip