IRF7495PBF
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7495PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40730 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7495PBF
IRF7495PBF Elektroniska komponenter
IRF7495PBF Försäljning
IRF7495PBF Leverantör
IRF7495PBF Distributör
IRF7495PBF Datatabell
IRF7495PBF Foton
IRF7495PBF Pris
IRF7495PBF Erbjudande
IRF7495PBF Lägsta pris
IRF7495PBF Sök
IRF7495PBF Köp av
IRF7495PBF Chip