IRF7477PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7477PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2710pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7581 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7477PBF
IRF7477PBF Elektroniska komponenter
IRF7477PBF Försäljning
IRF7477PBF Leverantör
IRF7477PBF Distributör
IRF7477PBF Datatabell
IRF7477PBF Foton
IRF7477PBF Pris
IRF7477PBF Erbjudande
IRF7477PBF Lägsta pris
IRF7477PBF Sök
IRF7477PBF Köp av
IRF7477PBF Chip