IRF7471PBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7471PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2820pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40058 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7471PBF
IRF7471PBF Elektroniska komponenter
IRF7471PBF Försäljning
IRF7471PBF Leverantör
IRF7471PBF Distributör
IRF7471PBF Datatabell
IRF7471PBF Foton
IRF7471PBF Pris
IRF7471PBF Erbjudande
IRF7471PBF Lägsta pris
IRF7471PBF Sök
IRF7471PBF Köp av
IRF7471PBF Chip