IRF7466PBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7466PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.5 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39837 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7466PBF
IRF7466PBF Elektroniska komponenter
IRF7466PBF Försäljning
IRF7466PBF Leverantör
IRF7466PBF Distributör
IRF7466PBF Datatabell
IRF7466PBF Foton
IRF7466PBF Pris
IRF7466PBF Erbjudande
IRF7466PBF Lägsta pris
IRF7466PBF Sök
IRF7466PBF Köp av
IRF7466PBF Chip