IRF7465PBF
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7465PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 1.14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13539 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7465PBF
IRF7465PBF Elektroniska komponenter
IRF7465PBF Försäljning
IRF7465PBF Leverantör
IRF7465PBF Distributör
IRF7465PBF Datatabell
IRF7465PBF Foton
IRF7465PBF Pris
IRF7465PBF Erbjudande
IRF7465PBF Lägsta pris
IRF7465PBF Sök
IRF7465PBF Köp av
IRF7465PBF Chip