IRF7464PBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7464PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
730 mOhm @ 720mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52490 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7464PBF
IRF7464PBF Elektroniska komponenter
IRF7464PBF Försäljning
IRF7464PBF Leverantör
IRF7464PBF Distributör
IRF7464PBF Datatabell
IRF7464PBF Foton
IRF7464PBF Pris
IRF7464PBF Erbjudande
IRF7464PBF Lägsta pris
IRF7464PBF Sök
IRF7464PBF Köp av
IRF7464PBF Chip