IRF7379PBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7379PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2.5W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.8A, 4.3A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41316 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7379PBF
IRF7379PBF Elektroniska komponenter
IRF7379PBF Försäljning
IRF7379PBF Leverantör
IRF7379PBF Distributör
IRF7379PBF Datatabell
IRF7379PBF Foton
IRF7379PBF Pris
IRF7379PBF Erbjudande
IRF7379PBF Lägsta pris
IRF7379PBF Sök
IRF7379PBF Köp av
IRF7379PBF Chip