IPW65R110CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Artikelnummer
IPW65R110CFDFKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO247-3
Effektförlust (max)
277.8W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 100V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46038 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPW65R110CFDFKSA1
IPW65R110CFDFKSA1 Elektroniska komponenter
IPW65R110CFDFKSA1 Försäljning
IPW65R110CFDFKSA1 Leverantör
IPW65R110CFDFKSA1 Distributör
IPW65R110CFDFKSA1 Datatabell
IPW65R110CFDFKSA1 Foton
IPW65R110CFDFKSA1 Pris
IPW65R110CFDFKSA1 Erbjudande
IPW65R110CFDFKSA1 Lägsta pris
IPW65R110CFDFKSA1 Sök
IPW65R110CFDFKSA1 Köp av
IPW65R110CFDFKSA1 Chip