IPW60R040CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
Artikelnummer
IPW60R040CFD7XKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO247-3
Effektförlust (max)
227W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.25mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
109nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4354pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7632 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPW60R040CFD7XKSA1
IPW60R040CFD7XKSA1 Elektroniska komponenter
IPW60R040CFD7XKSA1 Försäljning
IPW60R040CFD7XKSA1 Leverantör
IPW60R040CFD7XKSA1 Distributör
IPW60R040CFD7XKSA1 Datatabell
IPW60R040CFD7XKSA1 Foton
IPW60R040CFD7XKSA1 Pris
IPW60R040CFD7XKSA1 Erbjudande
IPW60R040CFD7XKSA1 Lägsta pris
IPW60R040CFD7XKSA1 Sök
IPW60R040CFD7XKSA1 Köp av
IPW60R040CFD7XKSA1 Chip