Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPU80R1K4CEAKMA1

IPU80R1K4CEAKMA1

MOSFET N-CH 800V TO251-3
Artikelnummer
IPU80R1K4CEAKMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251-3
Effektförlust (max)
63W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33655 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPU80R1K4CEAKMA1
IPU80R1K4CEAKMA1 Elektroniska komponenter
IPU80R1K4CEAKMA1 Försäljning
IPU80R1K4CEAKMA1 Leverantör
IPU80R1K4CEAKMA1 Distributör
IPU80R1K4CEAKMA1 Datatabell
IPU80R1K4CEAKMA1 Foton
IPU80R1K4CEAKMA1 Pris
IPU80R1K4CEAKMA1 Erbjudande
IPU80R1K4CEAKMA1 Lägsta pris
IPU80R1K4CEAKMA1 Sök
IPU80R1K4CEAKMA1 Köp av
IPU80R1K4CEAKMA1 Chip