Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPU50R1K4CEBKMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
Artikelnummer
IPU50R1K4CEBKMA1
Sektionsstatus
Last Time Buy
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251-3
Effektförlust (max)
25W (Tc)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
178pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
13V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45399 PCS
Nyckelord av IPU50R1K4CEBKMA1
IPU50R1K4CEBKMA1 Elektroniska komponenter
IPU50R1K4CEBKMA1 Försäljning
IPU50R1K4CEBKMA1 Leverantör
IPU50R1K4CEBKMA1 Distributör
IPU50R1K4CEBKMA1 Datatabell
IPU50R1K4CEBKMA1 Foton
IPU50R1K4CEBKMA1 Pris
IPU50R1K4CEBKMA1 Erbjudande
IPU50R1K4CEBKMA1 Lägsta pris
IPU50R1K4CEBKMA1 Sök
IPU50R1K4CEBKMA1 Köp av
IPU50R1K4CEBKMA1 Chip