IPU103N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Artikelnummer
IPU103N08N3 G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251-3
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.3 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29021 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPU103N08N3 G
IPU103N08N3 G Elektroniska komponenter
IPU103N08N3 G Försäljning
IPU103N08N3 G Leverantör
IPU103N08N3 G Distributör
IPU103N08N3 G Datatabell
IPU103N08N3 G Foton
IPU103N08N3 G Pris
IPU103N08N3 G Erbjudande
IPU103N08N3 G Lägsta pris
IPU103N08N3 G Sök
IPU103N08N3 G Köp av
IPU103N08N3 G Chip