IPT60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
Artikelnummer
IPT60R050G7XTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ G7
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerSFN
Leverantörsenhetspaket
PG-HSOF-8
Effektförlust (max)
245W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 800µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2670pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13164 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPT60R050G7XTMA1
IPT60R050G7XTMA1 Elektroniska komponenter
IPT60R050G7XTMA1 Försäljning
IPT60R050G7XTMA1 Leverantör
IPT60R050G7XTMA1 Distributör
IPT60R050G7XTMA1 Datatabell
IPT60R050G7XTMA1 Foton
IPT60R050G7XTMA1 Pris
IPT60R050G7XTMA1 Erbjudande
IPT60R050G7XTMA1 Lägsta pris
IPT60R050G7XTMA1 Sök
IPT60R050G7XTMA1 Köp av
IPT60R050G7XTMA1 Chip