IPSH4N03LA G
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
Artikelnummer
IPSH4N03LA G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251-3
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 40µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6395 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPSH4N03LA G
IPSH4N03LA G Elektroniska komponenter
IPSH4N03LA G Försäljning
IPSH4N03LA G Leverantör
IPSH4N03LA G Distributör
IPSH4N03LA G Datatabell
IPSH4N03LA G Foton
IPSH4N03LA G Pris
IPSH4N03LA G Erbjudande
IPSH4N03LA G Lägsta pris
IPSH4N03LA G Sök
IPSH4N03LA G Köp av
IPSH4N03LA G Chip