IPS50R520CP
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251
Artikelnummer
IPS50R520CP
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251-3
Effektförlust (max)
66W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
550V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32674 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPS50R520CP
IPS50R520CP Elektroniska komponenter
IPS50R520CP Försäljning
IPS50R520CP Leverantör
IPS50R520CP Distributör
IPS50R520CP Datatabell
IPS50R520CP Foton
IPS50R520CP Pris
IPS50R520CP Erbjudande
IPS50R520CP Lägsta pris
IPS50R520CP Sök
IPS50R520CP Köp av
IPS50R520CP Chip