IPP47N10S33AKSA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
Artikelnummer
IPP47N10S33AKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
175W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19958 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP47N10S33AKSA1
IPP47N10S33AKSA1 Elektroniska komponenter
IPP47N10S33AKSA1 Försäljning
IPP47N10S33AKSA1 Leverantör
IPP47N10S33AKSA1 Distributör
IPP47N10S33AKSA1 Datatabell
IPP47N10S33AKSA1 Foton
IPP47N10S33AKSA1 Pris
IPP47N10S33AKSA1 Erbjudande
IPP47N10S33AKSA1 Lägsta pris
IPP47N10S33AKSA1 Sök
IPP47N10S33AKSA1 Köp av
IPP47N10S33AKSA1 Chip