IPP410N30NAKSA1
MOSFET N-CH TO220-3
Artikelnummer
IPP410N30NAKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7180pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11480 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP410N30NAKSA1
IPP410N30NAKSA1 Elektroniska komponenter
IPP410N30NAKSA1 Försäljning
IPP410N30NAKSA1 Leverantör
IPP410N30NAKSA1 Distributör
IPP410N30NAKSA1 Datatabell
IPP410N30NAKSA1 Foton
IPP410N30NAKSA1 Pris
IPP410N30NAKSA1 Erbjudande
IPP410N30NAKSA1 Lägsta pris
IPP410N30NAKSA1 Sök
IPP410N30NAKSA1 Köp av
IPP410N30NAKSA1 Chip