IPP26CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
Artikelnummer
IPP26CN10NGHKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
71W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2070pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6591 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP26CN10NGHKSA1
IPP26CN10NGHKSA1 Elektroniska komponenter
IPP26CN10NGHKSA1 Försäljning
IPP26CN10NGHKSA1 Leverantör
IPP26CN10NGHKSA1 Distributör
IPP26CN10NGHKSA1 Datatabell
IPP26CN10NGHKSA1 Foton
IPP26CN10NGHKSA1 Pris
IPP26CN10NGHKSA1 Erbjudande
IPP26CN10NGHKSA1 Lägsta pris
IPP26CN10NGHKSA1 Sök
IPP26CN10NGHKSA1 Köp av
IPP26CN10NGHKSA1 Chip