IPP200N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Artikelnummer
IPP200N25N3GXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7100pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27635 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP200N25N3GXKSA1
IPP200N25N3GXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP200N25N3GXKSA1 Försäljning
IPP200N25N3GXKSA1 Leverantör
IPP200N25N3GXKSA1 Distributör
IPP200N25N3GXKSA1 Datatabell
IPP200N25N3GXKSA1 Foton
IPP200N25N3GXKSA1 Pris
IPP200N25N3GXKSA1 Erbjudande
IPP200N25N3GXKSA1 Lägsta pris
IPP200N25N3GXKSA1 Sök
IPP200N25N3GXKSA1 Köp av
IPP200N25N3GXKSA1 Chip