IPP080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Artikelnummer
IPP080N06N G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30130 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP080N06N G
IPP080N06N G Elektroniska komponenter
IPP080N06N G Försäljning
IPP080N06N G Leverantör
IPP080N06N G Distributör
IPP080N06N G Datatabell
IPP080N06N G Foton
IPP080N06N G Pris
IPP080N06N G Erbjudande
IPP080N06N G Lägsta pris
IPP080N06N G Sök
IPP080N06N G Köp av
IPP080N06N G Chip