IPP023NE7N3G
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Artikelnummer
IPP023NE7N3G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™ 3
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 37.5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21227 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP023NE7N3G
IPP023NE7N3G Elektroniska komponenter
IPP023NE7N3G Försäljning
IPP023NE7N3G Leverantör
IPP023NE7N3G Distributör
IPP023NE7N3G Datatabell
IPP023NE7N3G Foton
IPP023NE7N3G Pris
IPP023NE7N3G Erbjudande
IPP023NE7N3G Lägsta pris
IPP023NE7N3G Sök
IPP023NE7N3G Köp av
IPP023NE7N3G Chip