IPP06CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Artikelnummer
IPP06CN10LGXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 180µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
124nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11900pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5440 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP06CN10LGXKSA1
IPP06CN10LGXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP06CN10LGXKSA1 Försäljning
IPP06CN10LGXKSA1 Leverantör
IPP06CN10LGXKSA1 Distributör
IPP06CN10LGXKSA1 Datatabell
IPP06CN10LGXKSA1 Foton
IPP06CN10LGXKSA1 Pris
IPP06CN10LGXKSA1 Erbjudande
IPP06CN10LGXKSA1 Lägsta pris
IPP06CN10LGXKSA1 Sök
IPP06CN10LGXKSA1 Köp av
IPP06CN10LGXKSA1 Chip