Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPP037N08N3GXKSA1

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Artikelnummer
IPP037N08N3GXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8110pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7375 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPP037N08N3GXKSA1
IPP037N08N3GXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP037N08N3GXKSA1 Försäljning
IPP037N08N3GXKSA1 Leverantör
IPP037N08N3GXKSA1 Distributör
IPP037N08N3GXKSA1 Datatabell
IPP037N08N3GXKSA1 Foton
IPP037N08N3GXKSA1 Pris
IPP037N08N3GXKSA1 Erbjudande
IPP037N08N3GXKSA1 Lägsta pris
IPP037N08N3GXKSA1 Sök
IPP037N08N3GXKSA1 Köp av
IPP037N08N3GXKSA1 Chip