IPP028N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Artikelnummer
IPP028N08N3GXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14200pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16811 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP028N08N3GXKSA1
IPP028N08N3GXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP028N08N3GXKSA1 Försäljning
IPP028N08N3GXKSA1 Leverantör
IPP028N08N3GXKSA1 Distributör
IPP028N08N3GXKSA1 Datatabell
IPP028N08N3GXKSA1 Foton
IPP028N08N3GXKSA1 Pris
IPP028N08N3GXKSA1 Erbjudande
IPP028N08N3GXKSA1 Lägsta pris
IPP028N08N3GXKSA1 Sök
IPP028N08N3GXKSA1 Köp av
IPP028N08N3GXKSA1 Chip