IPN80R1K2P7ATMA1
COOLMOS P7 800V SOT-223
Artikelnummer
IPN80R1K2P7ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ P7
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-223-3
Leverantörsenhetspaket
PG-SOT223
Effektförlust (max)
6.8W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 500V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49383 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPN80R1K2P7ATMA1
IPN80R1K2P7ATMA1 Elektroniska komponenter
IPN80R1K2P7ATMA1 Försäljning
IPN80R1K2P7ATMA1 Leverantör
IPN80R1K2P7ATMA1 Distributör
IPN80R1K2P7ATMA1 Datatabell
IPN80R1K2P7ATMA1 Foton
IPN80R1K2P7ATMA1 Pris
IPN80R1K2P7ATMA1 Erbjudande
IPN80R1K2P7ATMA1 Lägsta pris
IPN80R1K2P7ATMA1 Sök
IPN80R1K2P7ATMA1 Köp av
IPN80R1K2P7ATMA1 Chip