Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPI90N06S4L04AKSA2

IPI90N06S4L04AKSA2

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Artikelnummer
IPI90N06S4L04AKSA2
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3-1
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44500 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPI90N06S4L04AKSA2
IPI90N06S4L04AKSA2 Elektroniska komponenter
IPI90N06S4L04AKSA2 Försäljning
IPI90N06S4L04AKSA2 Leverantör
IPI90N06S4L04AKSA2 Distributör
IPI90N06S4L04AKSA2 Datatabell
IPI90N06S4L04AKSA2 Foton
IPI90N06S4L04AKSA2 Pris
IPI90N06S4L04AKSA2 Erbjudande
IPI90N06S4L04AKSA2 Lägsta pris
IPI90N06S4L04AKSA2 Sök
IPI90N06S4L04AKSA2 Köp av
IPI90N06S4L04AKSA2 Chip