IPI50N10S3L16AKSA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Artikelnummer
IPI50N10S3L16AKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6346 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI50N10S3L16AKSA1
IPI50N10S3L16AKSA1 Elektroniska komponenter
IPI50N10S3L16AKSA1 Försäljning
IPI50N10S3L16AKSA1 Leverantör
IPI50N10S3L16AKSA1 Distributör
IPI50N10S3L16AKSA1 Datatabell
IPI50N10S3L16AKSA1 Foton
IPI50N10S3L16AKSA1 Pris
IPI50N10S3L16AKSA1 Erbjudande
IPI50N10S3L16AKSA1 Lägsta pris
IPI50N10S3L16AKSA1 Sök
IPI50N10S3L16AKSA1 Köp av
IPI50N10S3L16AKSA1 Chip