IPI120N06S4H1AKSA2
MOSFET N-CH TO262-3
Artikelnummer
IPI120N06S4H1AKSA2
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3-1
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
21900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6030 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI120N06S4H1AKSA2
IPI120N06S4H1AKSA2 Elektroniska komponenter
IPI120N06S4H1AKSA2 Försäljning
IPI120N06S4H1AKSA2 Leverantör
IPI120N06S4H1AKSA2 Distributör
IPI120N06S4H1AKSA2 Datatabell
IPI120N06S4H1AKSA2 Foton
IPI120N06S4H1AKSA2 Pris
IPI120N06S4H1AKSA2 Erbjudande
IPI120N06S4H1AKSA2 Lägsta pris
IPI120N06S4H1AKSA2 Sök
IPI120N06S4H1AKSA2 Köp av
IPI120N06S4H1AKSA2 Chip