Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPD90N03S4L02ATMA1

IPD90N03S4L02ATMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Artikelnummer
IPD90N03S4L02ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
136W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9750pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49028 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPD90N03S4L02ATMA1
IPD90N03S4L02ATMA1 Elektroniska komponenter
IPD90N03S4L02ATMA1 Försäljning
IPD90N03S4L02ATMA1 Leverantör
IPD90N03S4L02ATMA1 Distributör
IPD90N03S4L02ATMA1 Datatabell
IPD90N03S4L02ATMA1 Foton
IPD90N03S4L02ATMA1 Pris
IPD90N03S4L02ATMA1 Erbjudande
IPD90N03S4L02ATMA1 Lägsta pris
IPD90N03S4L02ATMA1 Sök
IPD90N03S4L02ATMA1 Köp av
IPD90N03S4L02ATMA1 Chip