IPD40N03S4L08ATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Artikelnummer
IPD40N03S4L08ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3-11
Effektförlust (max)
42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 13µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1520pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23455 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD40N03S4L08ATMA1
IPD40N03S4L08ATMA1 Elektroniska komponenter
IPD40N03S4L08ATMA1 Försäljning
IPD40N03S4L08ATMA1 Leverantör
IPD40N03S4L08ATMA1 Distributör
IPD40N03S4L08ATMA1 Datatabell
IPD40N03S4L08ATMA1 Foton
IPD40N03S4L08ATMA1 Pris
IPD40N03S4L08ATMA1 Erbjudande
IPD40N03S4L08ATMA1 Lägsta pris
IPD40N03S4L08ATMA1 Sök
IPD40N03S4L08ATMA1 Köp av
IPD40N03S4L08ATMA1 Chip