IPD200N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Artikelnummer
IPD200N15N3GBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1820pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41122 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD200N15N3GBTMA1
IPD200N15N3GBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD200N15N3GBTMA1 Försäljning
IPD200N15N3GBTMA1 Leverantör
IPD200N15N3GBTMA1 Distributör
IPD200N15N3GBTMA1 Datatabell
IPD200N15N3GBTMA1 Foton
IPD200N15N3GBTMA1 Pris
IPD200N15N3GBTMA1 Erbjudande
IPD200N15N3GBTMA1 Lägsta pris
IPD200N15N3GBTMA1 Sök
IPD200N15N3GBTMA1 Köp av
IPD200N15N3GBTMA1 Chip