IPD068N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Artikelnummer
IPD068N10N3GBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4910pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33878 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD068N10N3GBTMA1
IPD068N10N3GBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD068N10N3GBTMA1 Försäljning
IPD068N10N3GBTMA1 Leverantör
IPD068N10N3GBTMA1 Distributör
IPD068N10N3GBTMA1 Datatabell
IPD068N10N3GBTMA1 Foton
IPD068N10N3GBTMA1 Pris
IPD068N10N3GBTMA1 Erbjudande
IPD068N10N3GBTMA1 Lägsta pris
IPD068N10N3GBTMA1 Sök
IPD068N10N3GBTMA1 Köp av
IPD068N10N3GBTMA1 Chip