IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON
Artikelnummer
IPC50N04S55R8ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 13µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1090pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6825 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1 Elektroniska komponenter
IPC50N04S55R8ATMA1 Försäljning
IPC50N04S55R8ATMA1 Leverantör
IPC50N04S55R8ATMA1 Distributör
IPC50N04S55R8ATMA1 Datatabell
IPC50N04S55R8ATMA1 Foton
IPC50N04S55R8ATMA1 Pris
IPC50N04S55R8ATMA1 Erbjudande
IPC50N04S55R8ATMA1 Lägsta pris
IPC50N04S55R8ATMA1 Sök
IPC50N04S55R8ATMA1 Köp av
IPC50N04S55R8ATMA1 Chip