IPC26N12NX1SA1
MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Artikelnummer
IPC26N12NX1SA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Sawn on foil
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 244µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49070 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPC26N12NX1SA1
IPC26N12NX1SA1 Elektroniska komponenter
IPC26N12NX1SA1 Försäljning
IPC26N12NX1SA1 Leverantör
IPC26N12NX1SA1 Distributör
IPC26N12NX1SA1 Datatabell
IPC26N12NX1SA1 Foton
IPC26N12NX1SA1 Pris
IPC26N12NX1SA1 Erbjudande
IPC26N12NX1SA1 Lägsta pris
IPC26N12NX1SA1 Sök
IPC26N12NX1SA1 Köp av
IPC26N12NX1SA1 Chip