IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
Artikelnummer
IPC100N04S51R7ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
115W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 60µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4810pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42649 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPC100N04S51R7ATMA1
IPC100N04S51R7ATMA1 Elektroniska komponenter
IPC100N04S51R7ATMA1 Försäljning
IPC100N04S51R7ATMA1 Leverantör
IPC100N04S51R7ATMA1 Distributör
IPC100N04S51R7ATMA1 Datatabell
IPC100N04S51R7ATMA1 Foton
IPC100N04S51R7ATMA1 Pris
IPC100N04S51R7ATMA1 Erbjudande
IPC100N04S51R7ATMA1 Lägsta pris
IPC100N04S51R7ATMA1 Sök
IPC100N04S51R7ATMA1 Köp av
IPC100N04S51R7ATMA1 Chip