IPB90N06S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Artikelnummer
IPB90N06S4L04ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7966 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB90N06S4L04ATMA1
IPB90N06S4L04ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB90N06S4L04ATMA1 Försäljning
IPB90N06S4L04ATMA1 Leverantör
IPB90N06S4L04ATMA1 Distributör
IPB90N06S4L04ATMA1 Datatabell
IPB90N06S4L04ATMA1 Foton
IPB90N06S4L04ATMA1 Pris
IPB90N06S4L04ATMA1 Erbjudande
IPB90N06S4L04ATMA1 Lägsta pris
IPB90N06S4L04ATMA1 Sök
IPB90N06S4L04ATMA1 Köp av
IPB90N06S4L04ATMA1 Chip