IPB80N06S4L07ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Artikelnummer
IPB80N06S4L07ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 40µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5680pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15918 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB80N06S4L07ATMA1
IPB80N06S4L07ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB80N06S4L07ATMA1 Försäljning
IPB80N06S4L07ATMA1 Leverantör
IPB80N06S4L07ATMA1 Distributör
IPB80N06S4L07ATMA1 Datatabell
IPB80N06S4L07ATMA1 Foton
IPB80N06S4L07ATMA1 Pris
IPB80N06S4L07ATMA1 Erbjudande
IPB80N06S4L07ATMA1 Lägsta pris
IPB80N06S4L07ATMA1 Sök
IPB80N06S4L07ATMA1 Köp av
IPB80N06S4L07ATMA1 Chip