IPB80N04S2H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Artikelnummer
IPB80N04S2H4ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
148nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50924 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB80N04S2H4ATMA1
IPB80N04S2H4ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB80N04S2H4ATMA1 Försäljning
IPB80N04S2H4ATMA1 Leverantör
IPB80N04S2H4ATMA1 Distributör
IPB80N04S2H4ATMA1 Datatabell
IPB80N04S2H4ATMA1 Foton
IPB80N04S2H4ATMA1 Pris
IPB80N04S2H4ATMA1 Erbjudande
IPB80N04S2H4ATMA1 Lägsta pris
IPB80N04S2H4ATMA1 Sök
IPB80N04S2H4ATMA1 Köp av
IPB80N04S2H4ATMA1 Chip