IPB80N06S3-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Artikelnummer
IPB80N06S3-05
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
165W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.1 mOhm @ 63A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10760pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15654 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB80N06S3-05
IPB80N06S3-05 Elektroniska komponenter
IPB80N06S3-05 Försäljning
IPB80N06S3-05 Leverantör
IPB80N06S3-05 Distributör
IPB80N06S3-05 Datatabell
IPB80N06S3-05 Foton
IPB80N06S3-05 Pris
IPB80N06S3-05 Erbjudande
IPB80N06S3-05 Lägsta pris
IPB80N06S3-05 Sök
IPB80N06S3-05 Köp av
IPB80N06S3-05 Chip