IPB45N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Artikelnummer
IPB45N06S4L08ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
71W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.9 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 35µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4780pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35034 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB45N06S4L08ATMA1
IPB45N06S4L08ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB45N06S4L08ATMA1 Försäljning
IPB45N06S4L08ATMA1 Leverantör
IPB45N06S4L08ATMA1 Distributör
IPB45N06S4L08ATMA1 Datatabell
IPB45N06S4L08ATMA1 Foton
IPB45N06S4L08ATMA1 Pris
IPB45N06S4L08ATMA1 Erbjudande
IPB45N06S4L08ATMA1 Lägsta pris
IPB45N06S4L08ATMA1 Sök
IPB45N06S4L08ATMA1 Köp av
IPB45N06S4L08ATMA1 Chip