IPB407N30NATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Artikelnummer
IPB407N30NATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40.7 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7180pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46118 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB407N30NATMA1
IPB407N30NATMA1 Elektroniska komponenter
IPB407N30NATMA1 Försäljning
IPB407N30NATMA1 Leverantör
IPB407N30NATMA1 Distributör
IPB407N30NATMA1 Datatabell
IPB407N30NATMA1 Foton
IPB407N30NATMA1 Pris
IPB407N30NATMA1 Erbjudande
IPB407N30NATMA1 Lägsta pris
IPB407N30NATMA1 Sök
IPB407N30NATMA1 Köp av
IPB407N30NATMA1 Chip