IPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Artikelnummer
IPB26CN10NGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
71W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2070pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54808 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB26CN10NGATMA1
IPB26CN10NGATMA1 Elektroniska komponenter
IPB26CN10NGATMA1 Försäljning
IPB26CN10NGATMA1 Leverantör
IPB26CN10NGATMA1 Distributör
IPB26CN10NGATMA1 Datatabell
IPB26CN10NGATMA1 Foton
IPB26CN10NGATMA1 Pris
IPB26CN10NGATMA1 Erbjudande
IPB26CN10NGATMA1 Lägsta pris
IPB26CN10NGATMA1 Sök
IPB26CN10NGATMA1 Köp av
IPB26CN10NGATMA1 Chip