IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Artikelnummer
IPB200N25N3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7100pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36551 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB200N25N3GATMA1
IPB200N25N3GATMA1 Elektroniska komponenter
IPB200N25N3GATMA1 Försäljning
IPB200N25N3GATMA1 Leverantör
IPB200N25N3GATMA1 Distributör
IPB200N25N3GATMA1 Datatabell
IPB200N25N3GATMA1 Foton
IPB200N25N3GATMA1 Pris
IPB200N25N3GATMA1 Erbjudande
IPB200N25N3GATMA1 Lägsta pris
IPB200N25N3GATMA1 Sök
IPB200N25N3GATMA1 Köp av
IPB200N25N3GATMA1 Chip