IPB144N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
Artikelnummer
IPB144N12N3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
107W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
56A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14.4 mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 61µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3220pF @ 60V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35359 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB144N12N3GATMA1
IPB144N12N3GATMA1 Elektroniska komponenter
IPB144N12N3GATMA1 Försäljning
IPB144N12N3GATMA1 Leverantör
IPB144N12N3GATMA1 Distributör
IPB144N12N3GATMA1 Datatabell
IPB144N12N3GATMA1 Foton
IPB144N12N3GATMA1 Pris
IPB144N12N3GATMA1 Erbjudande
IPB144N12N3GATMA1 Lägsta pris
IPB144N12N3GATMA1 Sök
IPB144N12N3GATMA1 Köp av
IPB144N12N3GATMA1 Chip