IPB100N04S2L03ATMA2
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Artikelnummer
IPB100N04S2L03ATMA2
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17047 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB100N04S2L03ATMA2
IPB100N04S2L03ATMA2 Elektroniska komponenter
IPB100N04S2L03ATMA2 Försäljning
IPB100N04S2L03ATMA2 Leverantör
IPB100N04S2L03ATMA2 Distributör
IPB100N04S2L03ATMA2 Datatabell
IPB100N04S2L03ATMA2 Foton
IPB100N04S2L03ATMA2 Pris
IPB100N04S2L03ATMA2 Erbjudande
IPB100N04S2L03ATMA2 Lägsta pris
IPB100N04S2L03ATMA2 Sök
IPB100N04S2L03ATMA2 Köp av
IPB100N04S2L03ATMA2 Chip