IPB136N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
Artikelnummer
IPB136N08N3 G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.6 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1730pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53221 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB136N08N3 G
IPB136N08N3 G Elektroniska komponenter
IPB136N08N3 G Försäljning
IPB136N08N3 G Leverantör
IPB136N08N3 G Distributör
IPB136N08N3 G Datatabell
IPB136N08N3 G Foton
IPB136N08N3 G Pris
IPB136N08N3 G Erbjudande
IPB136N08N3 G Lägsta pris
IPB136N08N3 G Sök
IPB136N08N3 G Köp av
IPB136N08N3 G Chip