IPB12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
Artikelnummer
IPB12CNE8N G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
85V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.9 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4340pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53491 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB12CNE8N G
IPB12CNE8N G Elektroniska komponenter
IPB12CNE8N G Försäljning
IPB12CNE8N G Leverantör
IPB12CNE8N G Distributör
IPB12CNE8N G Datatabell
IPB12CNE8N G Foton
IPB12CNE8N G Pris
IPB12CNE8N G Erbjudande
IPB12CNE8N G Lägsta pris
IPB12CNE8N G Sök
IPB12CNE8N G Köp av
IPB12CNE8N G Chip