IPB120N06S4H1ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Artikelnummer
IPB120N06S4H1ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
21900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45955 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB120N06S4H1ATMA1
IPB120N06S4H1ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB120N06S4H1ATMA1 Försäljning
IPB120N06S4H1ATMA1 Leverantör
IPB120N06S4H1ATMA1 Distributör
IPB120N06S4H1ATMA1 Datatabell
IPB120N06S4H1ATMA1 Foton
IPB120N06S4H1ATMA1 Pris
IPB120N06S4H1ATMA1 Erbjudande
IPB120N06S4H1ATMA1 Lägsta pris
IPB120N06S4H1ATMA1 Sök
IPB120N06S4H1ATMA1 Köp av
IPB120N06S4H1ATMA1 Chip